參數(shù)資料
型號： T431616E-7CG
廠商： TM Technology, Inc.
英文描述： 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM
中文描述： 100萬× 16內(nèi)存為512k × 16Bit的X 2Banks同步DRAM
文件頁數(shù)： 74/74頁
文件大?。?/td> 781K
代理商： T431616E-7CG
TE
CH
tm
60-Ball (6.4mm x 10.1mm)VFBGA
Units in mm
T431616D/E
TM Technology Inc. reserves the right
P. 74
to change products or specifications without notice.
Publication Date: FEB. 2007
Revision: A
R P N M L K J H G F E D C B A
1
2
3
4
5
6
7
A B C D E F G H J K L M N P R
1
2
3
4
5
6
7
TOP VIEW
BOTTOM VIEW
A B
C
A1
B1
C1
D
D1
EE1
E2
E3
SEATING PLANE
A1 CORNER
A1 CORNER
Dimension in mm
Nom
6.40
10.00
10.10
-
3.90(typ)
-
9.10(typ)
-
0.65(typ)
0.65(typ)
0.35
0.35
0.22
-
-
0.42
Dimension in inch
Nom
0.248
0.394
0.398
-
0.154(typ)
-
0.358(typ)
-
0.026(typ)
-
0.026(typ)
0.014
0.016
0.014
0.016
0.009
-
-
0.008
0.017
0.018
Symbol
Min
6.30
Max
6.50
10.20
-
-
-
-
0.45
0.45
0.32
1.00*
-
0.48
Min
Max
2.56
0.402
-
-
-
-
0.018
0.018
0.13
0.039
-
0.019
A
A1
B
B1
C
C1
D
D1
E
E1
E2
E3
2.52
0.4
0.4
0.27
-
0.21
0.45
0.11
-
Note : * if lead free package “E1” max.=1.2mm(0.047 inch)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
T431616E-7S 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM
T431616E-7SG 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM
T436416A 4M X 16 SDRAM
T436416A-10S 4M X 16 SDRAM
T436416A-10SG Terminal Block End Barrier; For Use With:AB1 Series Terminal Blocks; Accessory Type:End Barrier; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
T431616E-7S 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM
T431616E-7SG 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM
T4322 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIANGULAR TYPE
T4323 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIANGULAR TYPE
T4333 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIANGULAR TYPE
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