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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | T431616A-7C |
| 廠商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 1M x 16 SDRAM |
| 中文描述： | 100萬× 16內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 9/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 1614K |
| 代理商： | T431616A-7C |
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TE
CH
tm
AC CHARACTERISTICS
(AC opterating conditions unless otherwise noted)
T431616A
Taiwan Memory Technology, Inc. reserves the right
P.9
to change products or specifications without notice.
Publication Date: DEC. 2000
Revision: C
-6
-7
-8
-10
Parameter
Symbol
Min
6
Max
Min
7
Max
Min
8
Max
Min
10
Max
Unit Note
CAS Latency = 3
CLK cycle time
CAS Latency = 2
t
CC
8
1K
8.6
1K
10
1K
10
1K
ns
1
CAS Latency = 3
-
5.5
-
6
-
6
-
7
ns
CLK to valid
Output delay
CAS Latency = 2
t
SAC
-
6
-
6
-
7
-
9
ns
1
Output data hold time
t
OH
t
CH
t
CL
t
SS
t
SH
t
SLZ
2
2.5
2.5
2.5
ns
2
CLK high pulse width
2
2.5
3
3
ns
3
CLK low pulse width
2
2.5
3
3
ns
3
Input setup time
1.5
1.75
2
2.5
ns
3
Input hold time
1
1
1
1
ns
3
CLK to output in Low-Z
1
1
1
1
ns
2
CAS Latency = 3
-
5.5
-
6
-
6
-
7
ns
CLK to output in
Hi-Z
CAS Latency = 2
t
SHZ
-
6
-
6
-
7
-
9
ns
Note:
1. Parameters depend on programmed CAS latency.
2. If clock rising time is longer than 1ns,(tr/2-0.5)ns should be added to the parameter.
3. Assumed input rise and fall time (tr & tf)=1ns.
If tr & tf is longer than 1ns,transient time compensation should be considered,
i.e.,[(tr+tf)/2-1]ns should be added to the parameter.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T431616A-7CI | 1M x 16 SDRAM |
| T431616A-7S | 1M x 16 SDRAM |
| T431616A-7SI | 1M x 16 SDRAM |
| T431616B | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616B-10C | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T431616A-7CI | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM |
| T431616A-7S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM |
| T431616A-7SI | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM |
| T431616B | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616B-10C | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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