參數(shù)資料
型號： STY30NA50
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強(qiáng)模式功率ＭＯＳ晶體管)
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOS晶體管（不適用溝道增強(qiáng)模式功率馬鞍山晶體管）
文件頁數(shù)： 3/4頁
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代理商： STY30NA50
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 250 V
R
G
= 4.7
V
DD
= 400 V
R
G
= 47
I
D
= 15 A
V
GS
= 10 V
40
70
55
90
ns
ns
(di/dt)
on
Turn-on Current Slope
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
240
A/
μ
s
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 400 V
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
245
27
120
320
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 400 V
R
G
= 4.7
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
75
30
110
100
40
145
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
30
120
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 30 A
V
GS
= 0
1.6
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 30 A
V
DD
= 100 V
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
o
C
800
17.6
44
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration =300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse widthlimited by safe operating area
STY30NA50
3/4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STY34NB50F Triac; Thyristor Type:Snubberless; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On State RMS Current, IT(rms):16A; Gate Trigger Current (QI), Igt:35mA; Current, It av:16A; Forward Current:16A; Gate Trigger Current Max, Igt:35mA RoHS Compliant: Yes
STY60NK30Z N-CHANNEL 300V - 0.033ohm - 60A Max247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET
STZT2222A Medium Power Amplifier(硅平面外延工藝NPN晶體管)
STZT2222 MEDIUM POWER AMPLIFIER
STZTA42 Circular Connector; No. of Contacts:8; Series:; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:12; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Insert Arrangement:12-8
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STY30NK90Z 功能描述:MOSFET N-Ch 900 Volt 26 Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STY34NB50 功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt 34 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STY34NB50F 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 500V - 0.11ohm - 34 A - Max247 PowerMESH MOSFET
STY50N105DK5 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 44A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:1050V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:44A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:175nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:6600pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:625W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 22A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:MAX247? 封裝/外殼:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
STY60NA20 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 200V - 0.030ohm - 60 A - Max247 FAST POWER MOS TRANSISTOR
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