參數(shù)資料
型號(hào)： STY30NA50
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強(qiáng)模式功率ＭＯＳ晶體管)
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOS晶體管（不適用溝道增強(qiáng)模式功率馬鞍山晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 48K
代理商： STY30NA50
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
R
thc-sink
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-Heatsink
with Conductive Grease
Max
Max
Typ
0.42
40
0.05
o
C/W
o
C/W
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
o
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
Repetitive Avalanche Energy
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(T
c
= 100
C, pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
30
A
E
AS
3000
mJ
E
AR
180
mJ
I
AR
19
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
500
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating x 0.8
V
GS
=
±
30 V
T
c
= 125
o
C
200
1000
±
100
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
I
D
= 15 A
I
D
= 15 A
2.25
3
3.75
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V
T
c
= 100
o
C
0.15
0.175
0.35
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
30
A
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(
)
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
= 15 A
25
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0
6150
780
220
8000
1000
290
pF
pF
pF
STY30NA50
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STY34NB50F Triac; Thyristor Type:Snubberless; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On State RMS Current, IT(rms):16A; Gate Trigger Current (QI), Igt:35mA; Current, It av:16A; Forward Current:16A; Gate Trigger Current Max, Igt:35mA RoHS Compliant: Yes
STY60NK30Z N-CHANNEL 300V - 0.033ohm - 60A Max247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET
STZT2222A Medium Power Amplifier(硅平面外延工藝NPN晶體管)
STZT2222 MEDIUM POWER AMPLIFIER
STZTA42 Circular Connector; No. of Contacts:8; Series:; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:12; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Insert Arrangement:12-8
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STY30NK90Z 功能描述:MOSFET N-Ch 900 Volt 26 Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STY34NB50 功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt 34 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STY34NB50F 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 500V - 0.11ohm - 34 A - Max247 PowerMESH MOSFET
STY50N105DK5 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 44A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:1050V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:44A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:175nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:6600pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:625W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 22A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:MAX247? 封裝/外殼:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
STY60NA20 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 200V - 0.030ohm - 60 A - Max247 FAST POWER MOS TRANSISTOR
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