參數(shù)資料
型號： STW80N06-10
廠商： 意法半導體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode "Ultra High Density" Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強模式功率ＭＯＳ晶體管)
中文描述： N溝道增強模式“超高密度”功率MOS晶體管（不適用溝道增強模式功率馬鞍山晶體管）
文件頁數(shù)： 4/5頁
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代理商： STW80N06-10
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.7
5.3
0.185
0.209
D
2.2
2.6
0.087
0.102
E
0.4
0.8
0.016
0.031
F
1
1.4
0.039
0.055
F3
2
2.4
0.079
0.094
F4
3
3.4
0.118
0.134
G
10.9
0.429
H
15.3
15.9
0.602
0.626
L
19.7
20.3
0.776
0.779
L3
14.2
14.8
0.559
0.413
0.582
L4
34.6
1.362
L5
5.5
0.217
M
2
3
0.079
0.118
Dia
3.55
3.65
0.140
0.144
P025P
TO-247 MECHANICAL DATA
STW80N06-10
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW80NE06-10 N - CHANNEL 60V - 0.0085ohm - 80A - TO-247 STripFET POWER MOSFET
STW80NF55-06 N-CHANNEL 55V - 0.005ohm - 80A TO-247 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STW80NF55-08 N-CHANNEL 55V - 0.0065ohm - 80A TO-247 STripFET⑩ POWER MOSFET
STW8N80 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
STW8NB100 N - CHANNEL 1000V - 1.2ohm- 8A - TO-247 PowerMESH MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STW80NE06-10 功能描述:MOSFET RO 511-STW80NF06 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW80NF06 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO-247 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:STripFET™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
STW80NF10 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A TO-247 LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
STW80NF12 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 120V 80A 3PIN TO-247 - Rail/Tube
STW80NF55-06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 55V - 0.005ohm - 80A TO-247 STripFET⑩ II POWER MOSFET
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