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參數(shù)資料
| 型號： | STW80N06-10 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode "Ultra High Density" Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強模式功率ＭＯＳ晶體管) |
| 中文描述： | N溝道增強模式“超高密度”功率MOS晶體管（不適用溝道增強模式功率馬鞍山晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | STW80N06-10 |
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
R
thc-sink
T
l
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
Thermal Resistance Case-sink Typ
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
0.83
62.5
0.5
300
o
C/W
o
C/W
o
C/W
o
C
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
o
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 25 V)
Repetitive Avalanche Energy
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(T
c
= 100
C, pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
60
A
E
AS
600
mJ
E
AR
150
mJ
I
AR
42
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
I
D
= 250
μ
A V
GS
= 0
60
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating x 0.8 T
c
= 125
o
C
V
GS
=
±
20 V
10
100
±
100
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
2
3
4
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 10V I
D
= 40 A
V
GS
= 10V I
D
= 40 A T
c
= 100
o
C
0.0085
0.01
0.02
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
80
A
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(
)
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
= 40 A
25
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V f = 1 MHz V
GS
= 0
5900
900
230
pF
pF
pF
STW80N06-10
2/5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STW80NE06-10 | N - CHANNEL 60V - 0.0085ohm - 80A - TO-247 STripFET POWER MOSFET |
| STW80NF55-06 | N-CHANNEL 55V - 0.005ohm - 80A TO-247 STripFET⑩ II POWER MOSFET |
| STW80NF55-08 | N-CHANNEL 55V - 0.0065ohm - 80A TO-247 STripFET⑩ POWER MOSFET |
| STW8N80 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
| STW8NB100 | N - CHANNEL 1000V - 1.2ohm- 8A - TO-247 PowerMESH MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STW80NE06-10 | 功能描述:MOSFET RO 511-STW80NF06 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STW80NF06 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO-247 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:STripFET™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| STW80NF10 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A TO-247 LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET |
| STW80NF12 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 120V 80A 3PIN TO-247 - Rail/Tube |
| STW80NF55-06 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 55V - 0.005ohm - 80A TO-247 STripFET⑩ II POWER MOSFET |
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