參數(shù)資料
型號： STU11NC60
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 0.48ohm - 11A Max220 PowerMeshII MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 0.48ohm - 11A條Max220 PowerMeshII MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 85K
代理商： STU11NC60
3/8
STU11NC60
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING ON
Symbol
t
d(on)
SWITCHING OFF
Symbol
t
r(Voff)
t
f
t
c
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
Note: 1. Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 300V, I
D
= 6 A
R
G
= 4.7
, V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 3)
Min.
Typ.
Max.
Unit
Turn-on Delay Time
Rise Time
20
ns
t
r
15
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
TotalGate Charge
V
DD
= 480V, I
D
= 12 A,
V
GS
= 10V, R
G
= 4.7
65
90
nC
Gate-Source Charge
13
nC
Gate-Drain Charge
28
nC
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Off-voltage Rise Time
V
DD
= 480V, I
D
= 12 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 5)
14
ns
Fall Time
25
ns
Cross-over Time
30
ns
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Source-drain Current
11
A
Source-drain Current (pulsed)
44
A
Forward On Voltage
I
SD
= 12 A, V
GS
= 0
1.6
V
Reverse Recovery Time
I
SD
= 12 A, di/dt = 100A/
μ
s,
V
DD
= 100V, T
j
= 150
°
C
(see test circuit, Figure 5)
590
ns
Reverse Recovery Charge
5.6
μ
C
Reverse Recovery Current
19
A
Safe OperatingArea
Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STU11NB60 N-CHANNEL 600V - 0.5ohm - 11A - Max220 PowerMESH MOSFET
STU13NC50 N-CHANNEL 500V - 0.31ohm - 13A Max220 PowerMesh⑩II MOSFET
STU16NB50I TRANSISTOR MOSFET MAX-220
STU16NB50 N-CHANNEL 500V - 0.28ohm - 15.6A-Max220 PowerMESH MOSFET
STV0196 QPSK/BPSK DEMODULATOR AND FEC IC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STU1224N 制造商:SAMHOP 制造商全稱:SAMHOP 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
STU1255PL 制造商:SAMHOP 制造商全稱:SAMHOP 功能描述:P-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor
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