參數(shù)資料
型號(hào)： STU11NC60
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 0.48ohm - 11A Max220 PowerMeshII MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 0.48ohm - 11A條Max220 PowerMeshII MOSFET的
文件頁數(shù)： 2/8頁
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代理商： STU11NC60
STU11NC60
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THERMAL DATA
Rthj-case
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
°
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TCASE = 25
°
C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
Drain-source
Breakdown Voltage
ON (1)
Symbol
V
GS(th)
DYNAMIC
Symbol
Thermal Resistance Junction-case Max
0.78
°
C/W
°
C/W
°
C/W
°
C
Rthj-amb
Thermal Resistance Junction-ambient Max
62.5
Rthc-sink
Thermal Resistance Case-sink Typ
0.5
T
l
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
300
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
12
A
E
AS
400
mJ
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
I
D
= 250
μ
A, V
GS
= 0
600
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125
°
C
1
μ
A
μ
A
50
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS
=
±
30V
±
100
nA
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 10V, I
D
= 6A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
2
3
4
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
0.48
0.55
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
V
GS
= 10V
11
A
Parameter
Test Conditions
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
I
D
=6A
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
Forward Transconductance
13
S
C
iss
Input Capacitance
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
2150
pF
C
oss
Output Capacitance
275
pF
C
rss
Reverse Transfer
Capacitance
39
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STU11NB60 N-CHANNEL 600V - 0.5ohm - 11A - Max220 PowerMESH MOSFET
STU13NC50 N-CHANNEL 500V - 0.31ohm - 13A Max220 PowerMesh⑩II MOSFET
STU16NB50I TRANSISTOR MOSFET MAX-220
STU16NB50 N-CHANNEL 500V - 0.28ohm - 15.6A-Max220 PowerMESH MOSFET
STV0196 QPSK/BPSK DEMODULATOR AND FEC IC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STU1255PL 制造商:SAMHOP 制造商全稱:SAMHOP 功能描述:P-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor
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