參數(shù)資料
型號: STSJ20NM20N
英文描述: N-CHANNEL 200V 0.11 OHM 20A POWERSO-8 ULTRA LOW GATE CHARGE MDMESH II MOSFET
中文描述: N溝道200伏0.11歐姆20A條POWERSO - 8超低柵極電荷的MDmesh MOSFET的二
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文件大小: 223K
代理商: STSJ20NM20N
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STSJ2NM60
Normalized BVDSS vs. Temperature
Normalized On Resistance vs Temperature
Normalized Gate Thereshold Voltage vs Temp.
Source-drain Diode Forward Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STSJ3NM50 N-CHANNEL 500V - 2.5ohm - 3A PowerSO-8 Zener-Protected MDmesh⑩ POWER MOSFET
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STSJ25NF3LL 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 25 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STSJ2NM60 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 600V 2A 8PIN PWRSO - Tape and Reel
STSJ3NM50 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 500V 3A 8PIN PWRSO - Tape and Reel
STSJ50NH3LL 功能描述:MOSFET N-Ch 30 V 0.008 Ohm 50 A STripFET II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STSJ60NH3LL 功能描述:MOSFET N Ch 30V 0.004 Ohm 15A Pwr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube