參數(shù)資料
型號： STSJ20NM20N
英文描述： N-CHANNEL 200V 0.11 OHM 20A POWERSO-8 ULTRA LOW GATE CHARGE MDMESH II MOSFET
中文描述： N溝道200伏0.11歐姆20A條POWERSO - 8超低柵極電荷的MDmesh MOSFET的二
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 223K
代理商： STSJ20NM20N
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STSJ2NM60
Normalized BVDSS vs. Temperature
Normalized On Resistance vs Temperature
Normalized Gate Thereshold Voltage vs Temp.
Source-drain Diode Forward Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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STSR30 SYNCHRONOUS RECTIFIER SMART DRIVER FOR FLYBACK
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參數(shù)描述
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STSJ2NM60 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 600V 2A 8PIN PWRSO - Tape and Reel
STSJ3NM50 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 500V 3A 8PIN PWRSO - Tape and Reel
STSJ50NH3LL 功能描述:MOSFET N-Ch 30 V 0.008 Ohm 50 A STripFET II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STSJ60NH3LL 功能描述:MOSFET N Ch 30V 0.004 Ohm 15A Pwr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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