參數(shù)資料
型號: STS4DNF30L
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: DUAL N-CHANNEL 30V - 0.039ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ POWER MOSFET
中文描述: 雙N溝道30V的- 0.039ohm - 4A條的SO - 8 STripFET⑩功率MOSFET
文件頁數(shù): 4/6頁
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代理商: STS4DNF30L
STS4DNF30L
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Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 3:
Switching Times Test Circuits For
Resistive Load
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STS4DNF60L N-Channel 60V-0.045Ω-4A SO-8 STripFET Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STS4DNF60 N - CHANNEL 60V - 0.045ohm - 4A SO-8 STripFET POWER MOSFET
STS4DNFS30L N-CHANNEL 30V - 0.044ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ II MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER
STS8C5H30L LOW GATE CHARGE StripFET III MOSFET
STS8NFS30L N - CHANNEL 30V - 0.018ohm - 8A S0-8 STripFET MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STS4DNF30L_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Dual N-channel 30V - 0.039ohm - 4A SO-8 STripFET TM Power MOSFET
STS4DNF60 功能描述:MOSFET N Ch 60V 0.070 Ohm 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STS4DNF60L 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STS4DNFS30 功能描述:MOSFET N Ch 30V 0.044 Ohm 4.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STS4DNFS30L 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube