參數(shù)資料
型號: STS4DNF30L
廠商: 意法半導體
英文描述: DUAL N-CHANNEL 30V - 0.039ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ POWER MOSFET
中文描述: 雙N溝道30V的- 0.039ohm - 4A條的SO - 8 STripFET⑩功率MOSFET
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代理商: STS4DNF30L
STS4DNF30L
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THERMAL DATA
Rthj-amb
T
stg
T
l
MOSFET ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TCASE = 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125 °C
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
ON (1)
Symbol
V
GS(th)
R
DS(on)
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(1)
(*)Thermal Resistance Junction-ambient Max
62.5
°C/W
Storage Temperature Range
-55 to 150
°C
Junction Temperature
150
°C
(*) Mounted on FR-4 board (t
10sec)
Min.
30
Typ.
Max.
Unit
V
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
V
DS
= Max Rating
1
μA
10
μA
V
GS
= ± 16 V
±100
nA
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V, I
D
= 2 A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 2 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
1
V
Static Drain-source On
Resistance
0.039
0.050
0.046
0.060
Parameter
Test Conditions
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
I
D
= 2 A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
1
Typ.
3
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
330
pF
Output Capacitance
90
pF
Reverse Transfer
Capacitance
40
pF
相關PDF資料
PDF描述
STS4DNF60L N-Channel 60V-0.045Ω-4A SO-8 STripFET Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STS4DNF60 N - CHANNEL 60V - 0.045ohm - 4A SO-8 STripFET POWER MOSFET
STS4DNFS30L N-CHANNEL 30V - 0.044ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ II MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER
STS8C5H30L LOW GATE CHARGE StripFET III MOSFET
STS8NFS30L N - CHANNEL 30V - 0.018ohm - 8A S0-8 STripFET MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STS4DNF30L_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Dual N-channel 30V - 0.039ohm - 4A SO-8 STripFET TM Power MOSFET
STS4DNF60 功能描述:MOSFET N Ch 60V 0.070 Ohm 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STS4DNF60L 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STS4DNFS30 功能描述:MOSFET N Ch 30V 0.044 Ohm 4.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STS4DNFS30L 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube