參數(shù)資料
型號(hào)： STS4DNF30L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： DUAL N-CHANNEL 30V - 0.039ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ POWER MOSFET
中文描述： 雙N溝道30V的- 0.039ohm - 4A條的SO - 8 STripFET⑩功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 135K
代理商： STS4DNF30L
3/6
STS4DNF30L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
t
d(on)
Turn-on Delay Time
SWITCHING OFF
Symbol
t
d(off)
t
f
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
Note: 1. Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
Test Conditions
V
DD
= 15 V, I
D
= 2 A R
G
= 4.7
V
GS
= 4.5 V
(see test circuit, Figure 3)
V
DD
= 24 V, I
D
= 4 A,
V
GS
= 10 V
Min.
Typ.
Max.
Unit
11
ns
t
r
Rise Time
100
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
6.5
9
nC
Gate-Source Charge
3.6
nC
Gate-Drain Charge
2
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 15 V, I
D
= 2 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 4.5 V
(see test circuit, Figure 3)
V
DD
= 24 V, I
D
= 4 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 4.5 V
(see test circuit, Figure 5)
Min.
Typ.
25
22
Max.
Unit
ns
ns
Turn-off Delay Time
Fall Time
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-Voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
22
55
75
ns
ns
ns
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Source-drain Current
4
A
Source-drain Current (pulsed)
16
A
Forward On Voltage
I
SD
= 4 A, V
GS
= 0
I
SD
= 4 A, di/dt = 100A/μs,
V
DD
= 20 V, T
j
= 150°C
(see test circuit, Figure 5)
1.2
V
Reverse Recovery Time
30
ns
Reverse Recovery Charge
18
nC
Reverse Recovery Current
1.2
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STS4DNF60L N-Channel 60V-0.045Ω-4A SO-8 STripFET Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STS4DNF60 N - CHANNEL 60V - 0.045ohm - 4A SO-8 STripFET POWER MOSFET
STS4DNFS30L N-CHANNEL 30V - 0.044ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ II MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER
STS8C5H30L LOW GATE CHARGE StripFET III MOSFET
STS8NFS30L N - CHANNEL 30V - 0.018ohm - 8A S0-8 STripFET MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STS4DNF30L_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Dual N-channel 30V - 0.039ohm - 4A SO-8 STripFET TM Power MOSFET
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STS4DNF60L 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STS4DNFS30 功能描述:MOSFET N Ch 30V 0.044 Ohm 4.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STS4DNFS30L 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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