參數(shù)資料
型號(hào)： STS4C3F60L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： StripFET⑩ MOSFET
中文描述： StripFET⑩MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 7/11頁(yè)
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代理商： STS4C3F60L
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STS4C3F60L
Figure 21: Gate Charge vs Gate-Source Volt-
age p-channel
Figure 22: Normalized Gate Thereshlod Volt-
age vs Temperature p-channel
Figure 23: Source-Drain Diode Forward Char-
acteristics p-channel
Figure 24: Capacitances Variations p-channel
Figure 25: Normalized On Resistance vs Tem-
perature p-channel
Figure 26: Normalized BVdss vs Temperature
p-channel
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STS4DNF30L DUAL N-CHANNEL 30V - 0.039ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ POWER MOSFET
STS4DNF60L N-Channel 60V-0.045Ω-4A SO-8 STripFET Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STS4DNF60 N - CHANNEL 60V - 0.045ohm - 4A SO-8 STripFET POWER MOSFET
STS4DNFS30L N-CHANNEL 30V - 0.044ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ II MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER
STS8C5H30L LOW GATE CHARGE StripFET III MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STS4DNF30L_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Dual N-channel 30V - 0.039ohm - 4A SO-8 STripFET TM Power MOSFET
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STS4DNF60L 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STS4DNFS30 功能描述:MOSFET N Ch 30V 0.044 Ohm 4.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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