參數(shù)資料
型號： STS4C3F60L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： StripFET⑩ MOSFET
中文描述： StripFET⑩MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大?。?/td> 434K
代理商： STS4C3F60L
3/11
STS4C3F60L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
Table 7: Switching On
Table 8: Switching Off
Table 9: Source-Drain Diodef
Symbol
I
SD
Source-drain Current
(1) Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
(2) Pulse width limited by safe operating area.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Delay Time
Rise Time
N-CHANNEL
V
DD
= 30 V, I
D
= 2 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 4.5 V
P-CHANNEL
V
DD
= 30 V, I
D
= 1.5 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 4.5 V
(Resistive Load see, Figure 28)
n-ch
p-ch
n-ch
p-ch
15
124
28
54
ns
ns
ns
ns
Q
g
Total Gate Charge
N-CHANNEL
V
DD
= 48 V, I
D
= 4 A,
V
GS
= 4.5 V
P-CHANNEL
V
DD
= 48 V, I
D
= 3 A,
V
GS
= 4.5 V
(see, Figure 31)
n-ch
p-ch
15
11.6
20.4
15.7
nC
nC
Q
gs
Gate-Source Charge
n-ch
p-ch
4
4.5
nC
nC
Q
gd
Gate-Drain Charge
n-ch
p-ch
4
4.7
nC
nC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(off)
t
f
Turn-off Delay Time
Fall Time
N-CHANNEL
V
DD
= 30 V, I
D
= 2 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 4.5 V
P-CHANNEL
V
DD
= 30 V, I
D
= 1.5 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 4.5 V
(Resistive Load see, Figure 28)
n-ch
p-ch
n-ch
p-ch
45
39
10
14.5
ns
ns
ns
ns
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
4
3
Unit
A
A
n-ch
p-ch
I
SDM
(2)
Source-drain Current (pulsed)
n-ch
p-ch
16
12
A
A
V
SD
(1)
Forward On Voltage
I
SD
= 4 A, V
GS
= 0
I
SD
= 3 A, V
GS
= 0
N-CHANNEL
I
SD
= 4 A, di/dt = 100 A/μs
V
DD
= 20V, T
j
= 150°C
n-ch
p-ch
1.2
1.2
V
V
t
rr
Reverse Recovery Time
P-CHANNEL
I
SD
= 3 A, di/dt = 100 A/μs
V
DD
= 20V, T
j
= 150°C
(see test circuit, Figure 29)
n-ch
p-ch
n-ch
p-ch
n-ch
p-ch
85
44
85
68.2
2
3.1
ns
ns
nC
nC
A
A
Q
rr
Reverse Recovery Charge
I
RRM
Reverse Recovery Current
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PDF描述
STS4DNF30L DUAL N-CHANNEL 30V - 0.039ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ POWER MOSFET
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