| 型號(hào): | STS2621 |
| 廠商: | SamHop Microelectronics Corp. |
| 英文描述: | Dual P -Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述: | 雙P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù): | 1/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 608K |
| 代理商: | STS2621 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STS2622 | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| STS3C2F100 | COMPLEMENTARY PAIR STripFETTM POWER MOSFET |
| STS3DNF30L | N-Channel 30V-0.055Ω-3.5A-SO-8 PowerMESH MOSFET(N溝道MOSFET) |
| STS4NF100 | N-CHANNEL 100V - 0.065 ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ II POWER MOSFET |
| STS7NF30L | N-Channel 30V-0.021Ω-7A SO-8 STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STS2622 | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| STS26N3LLH6 | 功能描述:MOSFET N-Ch 30V 0.0039 Ohm 26A STripFET VI DG RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STS28 | 制造商:Central Eyelets & Pressings 功能描述:TAG STRIPS |
| STS2DNE60 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 60V - 0.180ohm - 2A SO-8 STripFET POWER MOSFET |
| STS2DNF30L | 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |