參數(shù)資料
型號(hào)： STS7NF30L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel 30V-0.021Ω-7A SO-8 STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
中文描述： N溝道30V的，0.021Ω- 7A條的SO - 8 STripFETTM功率MOSFET（不適用溝道功率MOSFET的）
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 68K
代理商： STS7NF30L
STS7NF30L
N - CHANNEL 30V - 0.021
- 7A SO-8
STripFET
POWER MOSFET
PRELIMINARY DATA
I
TYPICAL R
DS(on)
= 0.021
I
STANDARD OUTLINE FOR EASY
AUTOMATED SURFACE MOUNT ASSEMBLY
I
LOW THRESHOLD DRIVE
DESCRIPTION
This Power MOSFET is the second generation of
STMicroelectronics unique " Single Feature
Size
"
strip-based process. The resulting
transistor shows extremely high packing density
for
low
on-resistance,
characteristics and less critical alignment steps
therefore
a
remarkable
reproducibility.
rugged
avalanche
manufacturing
APPLICATIONS
I
DC MOTOR DRIVE
I
DC-DC CONVERTERS
I
BATTERY MANAGMENT IN NOMADIC
EQUIPMENT
I
POWER MANAGEMENT IN
PORTABLE/DESKTOP PC
s
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
December 1998
SO-8
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
30
V
V
DGR
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
30
V
V
GS
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at Tc = 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
±
20
V
I
D
7
4.4
A
A
I
DM
(
)
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
42
A
P
tot
2.5
W
(
) Pulse width limited by safe operating area
TYPE
V
DSS
30 V
R
DS(on)
< 0.025
I
D
7 A
STS7NF30L
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STSA1805-AP LOW VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
STSA1805 LOW VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
STSJ100NH3LL N-CHANNEL 30V - 0.0027 ohm - 100A PowerSO-8⑩ STripFET⑩ III POWER MOSFET FOR DC-DC CONVERSION
STSJ100NHS3LL N-channel 30V - 0.0032ohm - 20A - PowerSO-8 STripFET III Power MOSFET plus monolithic schottky
STSJ18NF3LL LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STS7NF60L 功能描述:MOSFET N-Ch 60 V 0.017 Ohm 7.5 A STripFET II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STS7P4LLF6 功能描述:MOSFET P-CH 40V 7A POWERSO-8 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20.5 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最小） 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:22nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2850pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STS7PF30L 功能描述:MOSFET P-Ch 30 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STS7PF30L_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:P-CHANNEL 30V - 0.16ヘ - 7A - SO-8 STripFET⑩ II Power MOSFET
STS8050 制造商:KODENSHI 制造商全稱:KODENSHI KOREA CORP. 功能描述:NPN Silicon Transistor
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