參數(shù)資料
型號： STS3C2F100
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： COMPLEMENTARY PAIR STripFETTM POWER MOSFET
中文描述： 互補對STripFETTM功率MOSFET
文件頁數(shù)： 1/11頁
文件大?。?/td> 362K
代理商： STS3C2F100
N-CHANNEL 100V - 0.110
- 3A SO-8
P-CHANNEL 100V - 0.320
- 1.5A SO-8
COMPLEMENTARY PAIR STripFET POWER MOSFET
1/11
June 2004
.
STS3C2F100
Rev.1.0.1
■
TYPICAL R
DS
(on) (N-Channel) = 0.110
■
TYPICAL R
DS
(on) (P-Channel) = 0.320
■
STANDARD OUTLINE FOR EASY
AUTOMATED SURFACE MOUNT ASSEMBLY
■
ULTRA LOW GATE CHARGE
■
ULTRA LOW ON-RESISTANCE
DESCRIPTION
This MOSFET is the second generation of STMicroelec-
tronis unique "Single Feature Size" strip-based pro-
cess. The resulting transistor shows extremely high
packing density for low on-resistance, rugged avalanche
characteristics and less critical alignment steps therefore
a remarkable manufacturing reproducibility.
APPLICATIONS
■
DC MOTOR DRIVES
■
AUDIO AMPLIFIER
Ordering Information
SALES TYPE
STS3C2F100
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STS3C2F100(N-Channel)
STS3C2F100(P-Channel)
100 V
100 V
< 0.145
< 0.380
3.0 A
1.5 A
MARKING
S3C2F100
PACKAGE
SO-8
PACKAGING
TAPE & REEL
SO-8
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D
Drain Current (continuous) at T
C
= 25°C
I
D
Drain Current (continuous) at T
C
= 100°C
I
DM
(
)
Drain Current (pulsed)
P
tot
Total Dissipation at T
C
= 25°C
T
stg
Storage Temperature
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
)
Pulse width limited by safe operating area.
Note: P-CHANNEL MOSFET actual polarity of voltages and current
has to be reversed
Parameter
N-CHANNEL
P-CHANNEL
Unit
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
100
100
± 20
3.0
1.9
12
1.5
1.0
6
2
-55 to 150
150
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STS3DNF30L N-Channel 30V-0.055Ω-3.5A-SO-8 PowerMESH MOSFET(N溝道MOSFET)
STS4NF100 N-CHANNEL 100V - 0.065 ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STS7NF30L N-Channel 30V-0.021Ω-7A SO-8 STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STSA1805-AP LOW VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
STSA1805 LOW VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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STS3DNF30L 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STS3DPF20V 功能描述:MOSFET P-Ch 20 Volt 3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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