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參數(shù)資料
| 型號： | STP62NS04Z |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL CLAMPED 12.5m - 62A TO-220 FULLY PROTECTED MESH OVERLAY MOSFET |
| 中文描述： | N通道鉗位1250萬- 62A條至220充分保護MOSFET的網(wǎng)格密胺 |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 249K |
| 代理商： | STP62NS04Z |
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STP62NS04Z
Normalized Gate Threshold Voltage vs Temperature
Normalized on Resistance vs Temperature
Source-drain Diode Forward Characteristics
Normalized Breakdown Voltage Temperature.
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.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP6LNC60 | N-CHANNEL 600V - 1ohm - 5.8A TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩II MOSFET |
| STP6LNC60FP | N-CHANNEL 600V - 1ohm - 5.8A TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩II MOSFET |
| STP6N50FI | ; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes |
| STP6N50 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| STP6NA60FP | N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOS晶體管) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STP62NS04Z_06 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel clamped 12.5mOHM - 62A - TO-220 Fully protected MESH OVERLAY Power MOSFET |
| STP6308 | 制造商:STANSON 制造商全稱:STANSON 功能描述:STP6308 is the dual P-Channel enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. |
| STP6-420 | 制造商:Carlo Gavazzi 功能描述: |
| STP6-430 | 制造商:Carlo Gavazzi 功能描述: |
| STP65NF06 | 功能描述:MOSFET N-channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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