參數(shù)資料
型號： STP62NS04Z
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL CLAMPED 12.5m - 62A TO-220 FULLY PROTECTED MESH OVERLAY MOSFET
中文描述： N通道鉗位1250萬- 62A條至220充分保護MOSFET的網(wǎng)格密胺
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 249K
代理商： STP62NS04Z
STP62NS04Z
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THERMAL DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25 °C unless otherwise specified)
OFF
ON
(*
)
DYNAMIC
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
(for 10 sec., 1.6mm from case)
Max
Max
1.36
62.5
300
°C/W
°C/W
°C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Clamped Voltage
I
D
= 1 mA,
V
GS
= 0
33
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= 16 V
10
μA
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS
= ± 10 V
10
μA
V
GSS
Gate-Source
Breakdown Voltage
I
GS
= 100 μA
18
V
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
2
4
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
12.5
15
m
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs (*)
Forward Transconductance
V
DS
= 15 V
I
D
=30A
20
S
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
1330
420
135
pF
pF
pF
相關PDF資料
PDF描述
STP6LNC60 N-CHANNEL 600V - 1ohm - 5.8A TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩II MOSFET
STP6LNC60FP N-CHANNEL 600V - 1ohm - 5.8A TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩II MOSFET
STP6N50FI ; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
STP6N50 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP6NA60FP N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOS晶體管)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STP62NS04Z_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel clamped 12.5mOHM - 62A - TO-220 Fully protected MESH OVERLAY Power MOSFET
STP6308 制造商:STANSON 制造商全稱:STANSON 功能描述:STP6308 is the dual P-Channel enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology.
STP6-420 制造商:Carlo Gavazzi 功能描述:
STP6-430 制造商:Carlo Gavazzi 功能描述:
STP65NF06 功能描述:MOSFET N-channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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