參數(shù)資料
型號： STP50NE08
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強模式功率MOSFET)
中文描述： N溝道增強模式“的單一的功能SIZETM”功率MOSFET（不適用溝道增強模式功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 94K
代理商： STP50NE08
Output Characteristics
Transconductance
GateCharge vs Gate-sourceVoltage
Transfer Characteristics
Static Drain-source On Resistance
CapacitanceVariations
STP50NE08
4/8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP50NE10 N-Channel 100V-0.021Ω-50A-D2PAK STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STP5NK80 N-CHANNEL 800V - 1.9ohm - 4.3A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
STP5NK80ZFP N-CHANNEL 800V - 1.9ohm - 4.3A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
STP60N06-14 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強模式功率ＭＯＳ晶體管)
STP60NE03L-10 PC 26C 26#20 PIN RECP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP50NE10 功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 50 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP50NE10L 功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 50 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP50NF25 功能描述:MOSFET N Ch 500V 0.21 15A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP51 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | TO-218AA
STP5110AUPA-167 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:64-Bit Microprocessor
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*