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參數(shù)資料
| 型號： | STP50NE08 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強模式功率MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道增強模式“的單一的功能SIZETM”功率MOSFET（不適用溝道增強模式功率MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 94K |
| 代理商： | STP50NE08 |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 40 V
R
G
=4.7
(see test circuit, figure 3)
I
D
= 25 A
V
GS
= 10 V
37
95
50
130
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 64 V
I
D
= 50 A
V
GS
= 10 V
85
19
28
110
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 64 V
R
G
=4.7
(see test circuit, figure 5)
I
D
= 50 A
V
GS
= 10 V
12
30
50
17
40
68
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
50
200
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 50 A
V
GS
= 0
1.5
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 50 A
V
DD
= 30 V
(see test circuit, figure 5)
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
C
100
400
8
ns
nC
A
(
) Pulsed: Pulse duration =300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse widthlimited by safe operating area
Safe OperatingArea
Thermal Impedance
STP50NE08
3/8
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP50NE10 | N-Channel 100V-0.021Ω-50A-D2PAK STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET) |
| STP5NK80 | N-CHANNEL 800V - 1.9ohm - 4.3A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
| STP5NK80ZFP | N-CHANNEL 800V - 1.9ohm - 4.3A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
| STP60N06-14 | N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強模式功率ＭＯＳ晶體管) |
| STP60NE03L-10 | PC 26C 26#20 PIN RECP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STP50NE10 | 功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 50 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP50NE10L | 功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 50 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP50NF25 | 功能描述:MOSFET N Ch 500V 0.21 15A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP51 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | TO-218AA |
| STP5110AUPA-167 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:64-Bit Microprocessor |