- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄382563 > STP50NE08 (意法半導(dǎo)體) N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STP50NE08 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道增強(qiáng)模式“的單一的功能SIZETM”功率MOSFET（不適用溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/8頁(yè) |
| 文件大小： | 94K |
| 代理商： | STP50NE08 |
THERMAL DATA
R
thj-case
Rthj-amb
R
thc-sink
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-sink
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
Typ
1
62.5
0.5
300
o
C/W
oC/W
C/W
o
C
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
50
A
E
AS
300
mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
80
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating
o
C
V
GS
=
±
20 V
T
c
= 125
1
10
μ
A
μ
A
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
±
100
nA
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold
Voltage
Static Drain-source On
Resistance
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
2
3
4
V
R
DS(on)
V
GS
= 10V
I
D
= 25 A
0.020
0.024
m
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
50
A
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(
)
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
=25 A
20
35
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0
3850
480
105
5100
650
140
pF
pF
pF
STP50NE08
2/8
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP50NE10 | N-Channel 100V-0.021Ω-50A-D2PAK STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET) |
| STP5NK80 | N-CHANNEL 800V - 1.9ohm - 4.3A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
| STP5NK80ZFP | N-CHANNEL 800V - 1.9ohm - 4.3A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
| STP60N06-14 | N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強(qiáng)模式功率ＭＯＳ晶體管) |
| STP60NE03L-10 | PC 26C 26#20 PIN RECP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STP50NE10 | 功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 50 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP50NE10L | 功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 50 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP50NF25 | 功能描述:MOSFET N Ch 500V 0.21 15A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP51 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | TO-218AA |
| STP5110AUPA-167 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:64-Bit Microprocessor |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。