參數(shù)資料
型號(hào)： STP4NC80ZFP
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： CAP 3300PF 50V 5% X7R SMD-0603 TR-7 PLATED-NI/SN AUTO
中文描述： N溝道800V的- 2.4ohm - 4A條TO-220/FP/D2PAK/I2PAK齊保護(hù)的PowerMESH⑩三MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/14頁
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代理商： STP4NC80ZFP
3/14
STP4NC80Z - STP4NC80ZFP - STB4NC80Z - STB4NC80Z-1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
ON (1)
Symbol
Parameter
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(1)
SWITCHING ON
Symbol
t
d(on)
SWITCHING OFF
Symbol
t
r(Voff)
t
f
t
c
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V, I
D
= 2 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
3
4
5
V
2.4
2.8
Parameter
Test Conditions
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
I
D
= 2A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward Transconductance
4
S
C
iss
C
oss
Input Capacitance
1200
pF
Output Capacitance
90
pF
C
rss
Reverse Transfer
Capacitance
11
pF
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 400 V, I
D
= 2 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 3)
V
DD
= 640V, I
D
= 4A,
V
GS
= 10V
Min.
Typ.
Max.
Unit
Turn-on Delay Time
27
ns
t
r
Rise Time
10
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
27
36.5
nC
Gate-Source Charge
7
nC
Gate-Drain Charge
10
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 640V, I
D
= 4 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 5)
Min.
Typ.
Max.
Unit
Off-voltage Rise Time
11
ns
Fall Time
10
ns
Cross-over Time
24
ns
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Source-drain Current
4
A
Source-drain Current (pulsed)
16
A
Forward On Voltage
I
SD
= 4 A, V
GS
= 0
I
SD
= 4 A, di/dt = 100A/μs,
V
DD
= 50V, T
j
= 150°C
(see test circuit, Figure 5)
1.6
V
Reverse Recovery Time
560
ns
Reverse Recovery Charge
3.4
μC
Reverse Recovery Current
13
A
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PDF描述
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