參數(shù)資料
型號: STP3NA100
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOS晶體管)
中文描述: N溝道增強模式快速功率MOS晶體管(不適用溝道增強模式快速功率馬鞍山晶體管)
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代理商: STP3NA100
GateCharge vs Gate-sourceVoltage
Normalized Gate Threshold Voltage vs
Temperature
Source-drainDiode Forward Characteristics
CapacitanceVariations
Normalized On Resistance vs Temperature
STP3NA100/FI
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP3NB100FP N-Channel 1000V-5.3Ω-3A- TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET(N溝道MOSFET)
STP3NB100 N-Channel 1000V-5.3Ω-3A- TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET(N溝道MOSFET)
STP3NB80FP N-Channel 800V-4.6Ω-2.6A- TO-220/TO-220FP PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET)
STP3NC50 N-CHANNEL 500V - 3ohm - 2.8A TO-220 PowerMesh⑩II MOSFET
STP3NC70ZFP N-CHANNEL 700V - 4.1ohm - 2.5A TO-220/TO-220FP Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STP3NA100FP 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN
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STP3NA60 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 2.9 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube