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STP3NA100FP

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  • STP3NA100FP
    STP3NA100FP

    STP3NA100FP

  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    聯(lián)系人：李林

    電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北電子科技大夏A座36樓C09

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 18530

  • ST

  • TO220

  • 23+

  • -

  • 全新原裝正品現(xiàn)貨

  • STP3NA100FP
    STP3NA100FP

    STP3NA100FP

  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/韓先生

    電話：010-86398446-8061581080972213911315253

    地址：北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號(hào)樓603室

  • 25

  • ST

  • TO-220

  • 0908+

  • -

  • 專業(yè)分銷，現(xiàn)貨特價(jià)15810809722...

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
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  • 制造商
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  • OLD PRODUCT
STP3NA100FP 技術(shù)參數(shù)
  • STP3N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:130pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP3N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 2.7A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:620V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.7A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.5 歐姆 @ 1.4A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:385pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP3N150 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1500V（1.5kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9 歐姆 @ 1.3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:29.3nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:939pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP3LN80K5 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 2A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.63nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:102pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:45W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.25 歐姆 @ 1A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 STP3LN62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 2.5A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:620V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 1.25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:386pF @ 50V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP40N20 STP40N60M2 STP40N65M2 STP40NF03L STP40NF10 STP40NF10L STP40NF12 STP40NF20 STP40NS15 STP410N4F7AG STP42N60M2-EP STP42N65M5 STP43N60DM2 STP45N10F7 STP45N40DM2AG STP45N60DM2AG STP45N65M5 STP45NE06
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