- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄382555 > STP16NK65Z (意法半導體) N-CHANNEL 650V-0.38OHM-13A TO-220 I2SPAK Zener - Protected SuperMESH MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | STP16NK65Z |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 650V-0.38OHM-13A TO-220 I2SPAK Zener - Protected SuperMESH MOSFET |
| 中文描述： | N溝道?650V - 0.38OHM - 13A條至220 I2SPAK齊納- MOSFET的保護SuperMESH |
| 文件頁數(shù)： | 8/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 286K |
| 代理商： | STP16NK65Z |
STP16NK65Z - STB16NK65Z-S
8/12
In order to meet environmental requirements, ST offers these devices in ECOPACK
packages. These
packages have a Lead-free second level interconnect . The category of second level interconnect is
marked on the package and on the inner box label, in compliance with JEDEC Standard JESD97. The
maximum ratings related to soldering conditions are also marked on the inner box label. ECOPACK is an
ST trademark. ECOPACK specifications are available at: www.st.com
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB19NB20 | N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強模式MOSFET) |
| STB22NE03L | N - CHANNEL 30V - 0.034ohm - 22A TO-263 STripFET] POWER MOSFET |
| STB3NC60 | N - CHANNEL 600V - 3.3ohm- 3A - D2PAK/I2PAK PowerMESHII MOSFET |
| STB40NE03L-20 | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ” SINGLE FEATURE SIZE ” POWER MOSFET |
| STB4NB50 | N-Channel 500V-2.5Ω-3.8A-D2PAK/I2PAK PowerMESH MOSFET(N溝道MOSFET) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STP16NK65Z-S | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 0.38з - 14A TO-220 / I2SPAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET |
| STP16NM50N | 功能描述:MOSFET N Ch 600V 7A Pwr MESH IGBT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP16NS25 | 功能描述:MOSFET N-Ch 250 Volt 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP16NS25FP | 功能描述:MOSFET N-Ch 250 Volt 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP170N8F7 | 功能描述:MOSFET N-CH 80V 120A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.9 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8710pF @ 40V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。