參數(shù)資料
型號(hào)： STP12NB30
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
中文描述： ? -通道增強(qiáng)型MOSFET的PowerMESH
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 689K
代理商： STP12NB30
-50
0
50
100
150
0.1
1
10
I
_
GT3
I
I
+
GT1
_
GT1
I
G
C
I
G
C
Junction Temperature [
o
C]
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
0.1
1
10
C
Time (sec)
4/5
Fig 8. Transient Thermal Impedance
Fig 7. Gate Trigger Current vs.
Junction Temperature
Fig 9. Gate Trigger Characteristics Test Circuit
▼▲
6V
A
V
10
R
G
●
●
▼▲
A
V
10
6V
R
G
●
●
▼▲
A
V
10
6V
R
G
●
●
Test Procedure
Ⅰ
Test Procedure
Ⅱ
Test Procedure
Ⅲ
STP12A60
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP12NB30FP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
STP12NM50FP N-CHANNEL 500V - 0.3W - 12A TO-220/TO-220FP/I PAK MDmesh]Power MOSFET
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參數(shù)描述
STP12NB30FP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
STP12NK30Z 功能描述:MOSFET N-Ch 300 Volt 9 Amp Zener SuperMESH3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP12NK60Z 功能描述:MOSFET N-Ch 600 V 0.53 Ohm Zener SuperMESH 10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP12NK60Z_09 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 650 V @Tjmax, 0.53 Ω, 10 A TO-220, TO-220FP, TO-247 Zener-protected SuperMESH? Power MOSFET
STP12NK80Z 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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