參數(shù)資料
型號： STP12NB30
廠商： 意法半導體
英文描述： N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
中文描述： ? -通道增強型MOSFET的PowerMESH
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 689K
代理商： STP12NB30
Electrical Characteristics
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Unit
Min.
Typ.
Max.
I
DRM
Repetitive Peak Off-State
Current
V
D
= V
DRM
, Single Phase, Half Wave
T
J
= 125 °C
─
─
2.0
mA
V
TM
Peak On-State Voltage
I
T
= 20 A, Inst. Measurement
─
─
1.4
V
I
+GT1
Ⅰ
Gate Trigger Current
V
D
= 6 V, R
L
=10
Ω
─
─
30
mA
I
-GT1
Ⅱ
─
─
30
I
-GT3
Ⅲ
─
─
30
V
+GT1
Ⅰ
Gate Trigger Voltage
V
D
= 6 V, R
L
=10
Ω
─
─
1.5
V
V
-GT1
Ⅱ
─
─
1.5
V
-GT3
Ⅲ
─
─
1.5
V
GD
Non-Trigger Gate Voltage
T
J
= 125 °C, V
D
= 1/2 V
DRM
0.2
─
─
V
(dv/dt)c
Critical Rate of Rise Off-State
Voltage at Commutation
T
J
= 125 °C, [di/dt]c = -6.0 A/ms,
V
D
=2/3 V
DRM
10
─
─
V/
I
H
Holding Current
─
20
─
mA
R
th(j-c)
Thermal Impedance
Junction to case
─
─
1.8
°C/W
STP12A60
2/5
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PDF描述
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