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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STM9435 |
| 廠商： | SamHop Microelectronics Corp. |
| 英文描述： | P -Channel E nhancement Mode F ield E ffect Transistor |
| 中文描述： | P通道位置nhancement F型爾德首頁ffect晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 655K |
| 代理商： | STM9435 |
Figure 5. Gate Threshold Variation
with Temperature
Figure 6. Breakdown Voltage Variation
with Temperature
V
G
g
F
,
-
G
,
B
D
,
D
-
Figure 7. Transconductance Variation
with Drain Current
-I
DS
, Drain-Source Current (A)
Figure 9. Gate Charge
Qg, Total Gate Charge (nC)
Figure 10. Maximum Safe
Operating Area
-V
DS
, Drain-Source Voltage (V)
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
-V
SD
, Body Diode Forward Voltage (V)
Tj, Junction Temperature ( C)
Tj, Junction Temperature ( C)
-
D
,
4
10
8
0
2
4
6
0
5
10
15
20
V
DS
=-15V
20.0
10.0
1.0
0.4
0.6
0.7
0.9
1.1
1.3
V
GS
=0V
8
10
6
4
2
0
0
2
6
8
12
14
16
V
DS
=-15V
I
D
=-5.3A
50
10
1
0.1
0.03
0.1
1
10
30 50
V
GS
=-10V
Single Pulse
T
A
=25 C
R
DS
(ON)Limt
10ms
100ms
1s
DC
STM9435
4
10
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100 125
V
DS
=V
GS
I
D
=-250uA
-50
-25
0
25
50
75
100 125
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
I
D
=-250uA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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