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參數(shù)資料
| 型號： | STL20NM20N |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 200V - 0.088ohm - 20A PowerFLAT ULTRA LOW GATE CHARGE MDmesh II MOSFET |
| 中文描述： | N溝道200伏- 0.088ohm - 20A條的PowerFLAT超低柵極電荷的MDmesh MOSFET的二 |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 288K |
| 代理商： | STL20NM20N |
3/9
STL20NM20N
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
Table 7: Dynamic
Symbol
g
fs
(
5
)
C
iss
C
oss
C
rss
(*) C
oss eq.
is defined as a constant equivalent capacitance giving the same charging time as C
oss
when V
DS
increases from 0 to 80% V
DSS
Table 8: Source Drain Diode
Symbol
I
SD
Source-drain Current
I
SDM
(3)
Source-drain Current (pulsed)
V
SD
(5)
Forward On Voltage
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Current
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Current
Note: 1. The value is rated according to R
thj-c
.
2. When Mounted on FR-4 Board of 1inch
2
, 2 oz Cu
3. Pulse width limited by safe operating area
4. I
SD
≤
20A, di/dt
≤
400A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
5. Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %
Parameter
Test Conditions
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 10 A
V
DS
= 25 V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
8
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
Equivalent Output
Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
800
330
130
pF
pF
pF
C
oss eq.
(*)
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 160 V
225
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
= 100 V, I
D
= 10 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
(see Figure 16)
40
15
40
11
ns
ns
ns
ns
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 160 V, I
D
= 20 A,
V
GS
= 10 V
(see Figure 19)
32
6
25
50
nC
nC
nC
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
20
A
80
A
I
SD
= 20 A, V
GS
= 0
I
SD
= 20 A, di/dt = 100 A/μs,
V
DD
= 100 V, T
j
= 25°C
(see Figure 17)
1.3
V
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
160
960
128
ns
nC
A
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I
SD
= 20 A, di/dt = 100 A/μs,
V
DD
= 100 V, T
j
= 150°C
(see Figure 17)
225
1642
15
ns
nC
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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