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參數(shù)資料
| 型號： | STL20NM20N |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 200V - 0.088ohm - 20A PowerFLAT ULTRA LOW GATE CHARGE MDmesh II MOSFET |
| 中文描述： | N溝道200伏- 0.088ohm - 20A條的PowerFLAT超低柵極電荷的MDmesh MOSFET的二 |
| 文件頁數(shù)： | 2/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 288K |
| 代理商： | STL20NM20N |
STL20NM20N
2/9
Table 3: Absolute Maximum ratings
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D
(1)
Drain Current (continuous) at T
C
= 25°C (Steady State)
Drain Current (continuous) at T
C
= 100°C
I
DM
(3)
Drain Current (pulsed)
P
TOT
(2)
Total Dissipation at T
C
= 25°C (Steady State)
P
TOT
(1)
Total Dissipation at T
C
= 25°C (Steady State)
Derating Factor (2)
dv/dt (4)
Peak Diode Recovery voltage slope
Table 4: Thermal Data
Symbol
Rthj-c
Rthj-pcb (2)
T
j
T
stg
Table 5: Avalanche Characteristics
Symbol
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
=25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
Table 6: On/Off
Symbol
Parameter
Test Conditions
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125 °C
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
R
Ds(on)
Static Drain-source On
Resistance
Parameter
Value
Unit
200
V
200
V
± 30
V
20
12.3
A
A
80
A
2.5
W
80
W
0.02
10
W/°C
V/ns
Parameter
Typ.
Max.
1.56
50
Unit
°C/W
°C/W
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-pcb
35
Max. Operating Junction Temperature
Storage Temperature
-55 to 150
°C
Parameter
Max. Value
Unit
I
AS
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25 °C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 35 V)
20
A
E
AS
380
mJ
Min.
200
Typ.
Max.
Unit
V
I
D
= 1 mA, V
GS
= 0
V
DS
= Max Rating
1
10
μA
μA
V
GS
= ± 30 V
±100
nA
3
4
5
V
V
GS
= 10V, I
D
= 10 A
0.088
0.105
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| STL71L71H | MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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