參數(shù)資料
型號(hào): STGW40NC60V
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: N-CHANNEL 50A - 600V TO-247 Hyper Fast PowerMESH⑩ IGBT
中文描述: N溝道50A條- 600V到- 247超高速IGBT的PowerMESH⑩
文件頁數(shù): 8/9頁
文件大?。?/td> 319K
代理商: STGW40NC60V
STGW40NC60V
8/9
DIM.
mm.
TYP
inch
TYP.
MIN.
4.85
2.20
1.0
2.0
3.0
0.40
19.85
15.45
MAX.
5.15
2.60
1.40
2.40
3.40
0.80
20.15
15.75
MIN.
0.19
0.086
0.039
0.079
0.118
0.015
0.781
0.608
MAX.
0.20
0.102
0.055
0.094
0.134
0.03
0.793
0.620
A
A1
b
b1
b2
c
D
E
e
L
L1
L2
P
R
S
5.45
0.214
14.20
3.70
14.80
4.30
0.560
0.14
0.582
0.17
18.50
0.728
3.55
4.50
3.65
5.50
0.140
0.177
0.143
0.216
5.50
0.216
TO-247 MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGY40NC60V Niobium Oxide Capacitor; Capacitor Type:Solid; Voltage Rating:6.3VDC; Capacitor Dielectric Material:Niobium Oxide; Capacitance:220uF; Capacitance Tolerance:+/- 20%; ESR:0.4ohm; Operating Temp. Max:105 C; Operating Temp. Min:-55 C RoHS Compliant: Yes
STGY40NC60VD N-CHANNEL 50A - 600V - Max247 Very Fast PowerMESH?? IGBT
STH12NA60 Supercapacitor; Capacitance:0.47F; Series:EDL; Voltage Rating:5.5VDC; Capacitor Dielectric Material:Carbon Aerogel Foam; Package/Case:Stacked Coin; Termination:Radial Leaded; ESR:30ohm; Lead Pitch:5mm; Operating Temp. Max:70 C RoHS Compliant: Yes
STH33N20 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STH5NA100FI N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOS晶體管)
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參數(shù)描述
STGW40NC60V_04 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT
STGW40NC60W 功能描述:IGBT 晶體管 600volt 40 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW40NC60WD 功能描述:IGBT 晶體管 FAST N-CHANNEL RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW40NC60WD_08 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:40 A - 600 V - ultra fast IGBT
STGW40S120DF3 功能描述:IGBT 1200V 40A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.15V @ 15V,40A 功率 - 最大值:468W 開關(guān)能量:1.43mJ(開),3.83mJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:129nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:35ns/148ns 測(cè)試條件:600V,40A,15 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):355ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30