參數(shù)資料
型號(hào)： STGW40NC60V
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 50A - 600V TO-247 Hyper Fast PowerMESH⑩ IGBT
中文描述： N溝道50A條- 600V到- 247超高速IGBT的PowerMESH⑩
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大小： 319K
代理商： STGW40NC60V
3/9
STGW40NC60V
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
DYNAMIC
Symbol
SWITCHING ON
Symbol
t
d(on)
t
r
(di/dt)
on
Eon
SWITCHING OFF
Symbol
t
r
(V
off
)
t
d
(
off
)
t
f
Note: 1. Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by max. junction temperature.
(**)Losses include Also the Tail (Jedec Standardization)
Parameter
Test Conditions
V
CE
= 25 V
,
I
C
= 20 A
V
CE
= 25 V, f= 1 MHz, V
GE
= 0
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
C
ies
C
oes
C
res
Forward Transconductance
20
S
Input Capacitance
4550
pF
Output Capacitance
350
pF
Reverse Transfer
Capacitance
Total Gate Charge
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector Charge
105
pF
Q
g
Q
ge
Q
gc
I
CL
V
CE
= 480 V, I
C
= 40 A,
V
GE
= 15 V
220
30
105
nC
nC
nC
Latching Current
V
clamp
= 480 V
,
Tj = 125°C
R
G
= 10
220
A
Parameter
Test Conditions
V
CC
= 480 V, I
C
= 40 A
R
G
= 10
, V
GE
= 15 V
V
CC
= 480 V, I
C
= 40 A
R
G
= 10
,
V
GE
= 15 V,
Tj =125°C
Min.
Typ.
Max.
Unit
Turn-on Delay Time
Rise Time
45
27
ns
ns
Turn-on Current Slope
Turn-on Switching Losses
1150
800
A/μs
μJ
Parameter
Test Conditions
V
cc
= 480 V, I
C
= 40 A,
R
GE
= 10
, V
GE
= 15 V
T
J
= 25 °C
Min.
Typ.
Max.
Unit
Off Voltage Rise Time
37
ns
Delay Time
270
ns
Fall Time
70
ns
μ
J
μ
J
ns
E
off
(**)
Turn-off Switching Loss
1120
E
ts
Total Switching Loss
1880
t
r
(V
off
)
t
d
(
off
)
Off Voltage Rise Time
V
cc
= 480 V, I
C
= 40 A,
R
GE
= 10
, V
GE
= 15 V
Tj = 125 °C
67
Delay Time
325
ns
t
f
Fall Time
120
ns
μ
J
μ
J
E
off
(**)
Turn-off Switching Loss
1600
E
ts
Total Switching Loss
2400
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGY40NC60V Niobium Oxide Capacitor; Capacitor Type:Solid; Voltage Rating:6.3VDC; Capacitor Dielectric Material:Niobium Oxide; Capacitance:220uF; Capacitance Tolerance:+/- 20%; ESR:0.4ohm; Operating Temp. Max:105 C; Operating Temp. Min:-55 C RoHS Compliant: Yes
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STH12NA60 Supercapacitor; Capacitance:0.47F; Series:EDL; Voltage Rating:5.5VDC; Capacitor Dielectric Material:Carbon Aerogel Foam; Package/Case:Stacked Coin; Termination:Radial Leaded; ESR:30ohm; Lead Pitch:5mm; Operating Temp. Max:70 C RoHS Compliant: Yes
STH33N20 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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STGW40NC60WD 功能描述:IGBT 晶體管 FAST N-CHANNEL RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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