參數(shù)資料
型號： STGP12NB60K
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH IGBT
中文描述： 短路IGBT的證明PowerMESH
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 322K
代理商： STGP12NB60K
3/9
STGP12NB60K
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
t
d(on)
Turn-on Delay Time
t
r
Rise Time
(di/dt)
on
Eon
Turn-on Switching Losses
SWITCHING OFF
Symbol
t
c
t
r
(V
off
)
t
d
(
off
)
t
f
E
off
(**)
E
ts
t
c
t
r
(V
off
)
t
d
(
off
)
t
f
E
off
(**)
E
ts
Note: 1. Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by max. junction temperature.
(**)Losses include Also the Tail (Jedec Standardization)
(#) Calculated according to the iterative formula:
Test Conditions
V
CC
= 480 V, I
C
= 12 A
R
G
= 10
, V
GE
= 15 V
Min.
Typ.
Max.
Unit
25
ns
14.5
ns
Turn-on Current Slope
V
CC
= 480 V, I
C
= 12 A R
G
=10
V
GE
= 15 V,Tj = 125°C
590
180
A/μs
μJ
Parameter
Test Conditions
V
cc
= 480 V, I
C
= 12 A,
R
GE
= 10
, V
GE
= 15 V
Min.
Typ.
Max.
Unit
Cross-over Time
130
ns
Off Voltage Rise Time
25
ns
Delay Time
96
ns
Fall Time
100
ns
Turn-off Switching Loss
258
μJ
Total Switching Loss
410
μJ
Cross-over Time
V
cc
= 480 V, I
C
= 12 A,
R
GE
= 10
, V
GE
= 15 V
Tj = 125 °C
310
ns
Off Voltage Rise Time
80
ns
Delay Time
150
ns
Fall Time
220
ns
Turn-off Switching Loss
650
μJ
Total Switching Loss
830
μJ
I
C
T
C
(
)
T
CESAT MAX
T
C
–
THJ
C
–
)
T
C
I
C
,
(
)
×
R
=
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGP7NB60HDFP N-Channel 7A-600V- TO-220/FP PowerMESH IGBT(N溝道絕緣柵雙極晶體管)
STGW40NC60V N-CHANNEL 50A - 600V TO-247 Hyper Fast PowerMESH⑩ IGBT
STGY40NC60V Niobium Oxide Capacitor; Capacitor Type:Solid; Voltage Rating:6.3VDC; Capacitor Dielectric Material:Niobium Oxide; Capacitance:220uF; Capacitance Tolerance:+/- 20%; ESR:0.4ohm; Operating Temp. Max:105 C; Operating Temp. Min:-55 C RoHS Compliant: Yes
STGY40NC60VD N-CHANNEL 50A - 600V - Max247 Very Fast PowerMESH?? IGBT
STH12NA60 Supercapacitor; Capacitance:0.47F; Series:EDL; Voltage Rating:5.5VDC; Capacitor Dielectric Material:Carbon Aerogel Foam; Package/Case:Stacked Coin; Termination:Radial Leaded; ESR:30ohm; Lead Pitch:5mm; Operating Temp. Max:70 C RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGP12NB60KD 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 18 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP14N60D 功能描述:IGBT 晶體管 14A 600V SHRT CIR RUGGED IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP14NC60KD 功能描述:IGBT 晶體管 PowerMESH" IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP15H60DF 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed
STGP15M65DF2 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2V @ 15V，15A 功率 - 最大值:136W 開關(guān)能量:90μJ（開），450μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:45nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:24ns/93ns 測試條件:400V，15A，12 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:142ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
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