參數(shù)資料
型號(hào)： STGD7NB60St4
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 7A - 600V DPAK Power MESH IGBT
中文描述： N溝道第7A - 600V的IGBT的DPAK封裝電力網(wǎng)格
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 289K
代理商： STGD7NB60ST4
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
2.2
2.4
0.086
0.094
A1
0.9
1.1
0.035
0.043
A2
0.03
0.23
0.001
0.009
B
0.64
0.9
0.025
0.035
B2
5.2
5.4
0.204
0.212
C
0.45
0.6
0.017
0.023
C2
0.48
0.6
0.019
0.023
D
6
6.2
0.236
0.244
E
6.4
6.6
0.252
0.260
G
4.4
4.6
0.173
0.181
H
9.35
10.1
0.368
0.397
L2
0.8
0.031
L4
0.6
1
0.023
0.039
=
=
D
L2
L4
1
3
=
=
B
E
=
=
B
G
2
A
C
C
H
A
DETAIL "A"
A
DETAIL "A"
TO-252 (DPAK) MECHANICAL DATA
0068772-B
STGD7NB60S
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGF20NB60S N-CHANNEL 13A - 600V TO-220FP PowerMESH IGBT
STGP12NB60K SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH IGBT
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STGW40NC60V N-CHANNEL 50A - 600V TO-247 Hyper Fast PowerMESH⑩ IGBT
STGY40NC60V Niobium Oxide Capacitor; Capacitor Type:Solid; Voltage Rating:6.3VDC; Capacitor Dielectric Material:Niobium Oxide; Capacitance:220uF; Capacitance Tolerance:+/- 20%; ESR:0.4ohm; Operating Temp. Max:105 C; Operating Temp. Min:-55 C RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STGD7NC60HT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 14 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGD8NC60K 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 8A - D2PAK / DPAK / TO-220 Short circuit rated PowerMESH IGBT
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STGD8NC60KDT4 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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