參數(shù)資料
型號： STGD7NB60St4
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 7A - 600V DPAK Power MESH IGBT
中文描述： N溝道第7A - 600V的IGBT的DPAK封裝電力網(wǎng)格
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 289K
代理商： STGD7NB60ST4
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
c
t
r
(v
off
)
t
f
E
off
(**)
t
c
t
r
(v
off
)
t
f
E
off
(**)
(
) Pulse width limited by safe operating area
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(**)Losses Include Also The Tail (Jedec Standardization)
Cross-Over Time
Off Voltage Rise Time
Fall Time
Turn-off Switching Loss
V
CC
= 480 V I
C
= 7 A
R
GE
= 100
V
GE
= 15 V
2.2
1.2
1.2
3.5
μ
s
μ
s
μ
s
mJ
Cross-Over Time
Off Voltage Rise Time
Fall Time
Turn-off Switching Loss
V
CC
= 480 V I
C
= 7 A
R
GE
= 100
V
GE
= 15 V
T
j
= 125
o
C
3.8
1.2
1.9
5.3
μ
s
μ
s
μ
s
mJ
Thermal Impedance
STGD7NB60S
3/8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGF20NB60S N-CHANNEL 13A - 600V TO-220FP PowerMESH IGBT
STGP12NB60K SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH IGBT
STGP7NB60HDFP N-Channel 7A-600V- TO-220/FP PowerMESH IGBT(N溝道絕緣柵雙極晶體管)
STGW40NC60V N-CHANNEL 50A - 600V TO-247 Hyper Fast PowerMESH⑩ IGBT
STGY40NC60V Niobium Oxide Capacitor; Capacitor Type:Solid; Voltage Rating:6.3VDC; Capacitor Dielectric Material:Niobium Oxide; Capacitance:220uF; Capacitance Tolerance:+/- 20%; ESR:0.4ohm; Operating Temp. Max:105 C; Operating Temp. Min:-55 C RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGD7NC60H 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Transistor IGBT N-Ch 600V 25A DPAK
STGD7NC60HT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 14 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGD8NC60K 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 8A - D2PAK / DPAK / TO-220 Short circuit rated PowerMESH IGBT
STGD8NC60KD 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:600 V - 8 A - short circuit rugged IGBT
STGD8NC60KDT4 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*