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參數(shù)資料
| 型號： | STGD7NB120S-1 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 7A - 1200V IPAK Power MESH IGBT |
| 中文描述： | N溝道第7A - 1200伏像是iPak IGBT的電力網(wǎng)格 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 43K |
| 代理商： | STGD7NB120S-1 |
Switching Off SafeOperatin Area
Fig. 1:
Gate Charge test Circuit
Fig. 3:
Switching Waveforms
Fig. 2:
Test CircuitFor InductiveLoad Switching
STGD7NB120S-1
4/6
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STGE200NB60S | N-CHANNEL 150A - 600V - ISOTOP PowerMESH⑩ IGBT |
| STGE50NB60HD | N-CHANNEL 50A - 600V ISOTOP PowerMESH IGBT |
| STGF10NB60SD | N-CHANNEL 10A - 600V TO-220FP PowerMESH? IGBT |
| STGP14NC60KD | Suppressors, Outlet; Suppressor Type:Outlet Strip; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No |
| STGP7NB60FD | N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 / D2PAK PowerMESH? IGBT |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STGD7NB120S-1_0008 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 7A - 1200V - IPAK PowerMESH IGBT |
| STGD7NB120ST4 | 功能描述:IGBT 晶體管 N-Channel 7A-1200V IPAK PowerMESH IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGD7NB60F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 7A - 600V - T0-220 / DPAK PowerMESH IGBT |
| STGD7NB60FT4 | 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGD7NB60H | 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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