參數(shù)資料
型號： STGE200NB60S
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 150A - 600V - ISOTOP PowerMESH⑩ IGBT
中文描述： N溝道150A - 600V的- 1000V的集電極IGBT的PowerMESH⑩
文件頁數(shù)： 1/9頁
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代理商： STGE200NB60S
1/9
June 2003
STGE200NB60S
N-CHANNEL 150A - 600V
- ISOTOP
PowerMESH IGBT
I
HIGH INPUT IMPEDANCE (VOLTAGE DRIVEN)
I
LOW ON-VOLTAGE DROP (V
cesat
)
I
OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
I
LOW GATE CHARGE
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based on a
patented strip layout, STMicroelectronics has
designed an advanced family of IGBTs, the
PowerMESH
IGBTs, with outstanding
performances. The suffix “S” identifies a family
optimized to achieve very low
V
CE(sat)
(@ max
frequency of 1KHz).
APPLICATIONS
I
LOW FREQUENCY MOTOR CONTROLS
I
ALUMINUM WELDING EQUIPMENT
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CES
Collector-Emitter Voltage (V
GS
= 0)
V
GE
Gate-Emitter Voltage
I
C
Collector Current (continuous) at T
C
= 25°C
I
C
Collector Current (continuous) at T
C
= 100°C
I
CM
( )
Collector Current (pulsed)
P
TOT
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
T
stg
Storage Temperature
T
j
Max. Operating Junction Temperature
( ) PULSE WIDTH LIMITED BY SAFE OPERATING AREA
TYPE
V
CES
V
CE(sat)
(typ.)
I
C
T
C
STGE200NB60S
600 V
1.2
V
1.3
V
150 A
200 A
100°C
25°C
Parameter
Value
Unit
600
V
±20
V
200
A
150
A
400
A
600
W
4.8
W/°C
– 65 to 150
°C
150
°C
ISOTOP
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGE50NB60HD N-CHANNEL 50A - 600V ISOTOP PowerMESH IGBT
STGF10NB60SD N-CHANNEL 10A - 600V TO-220FP PowerMESH? IGBT
STGP14NC60KD Suppressors, Outlet; Suppressor Type:Outlet Strip; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No
STGP7NB60FD N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 / D2PAK PowerMESH? IGBT
STGP7NB60HD N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/FP PowerMESH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGE50NB60HD 功能描述:IGBT N-CHAN 600V 50A ISOTOP RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:PowerMESH™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
STGE50NC60VD 功能描述:IGBT 晶體管 N-chnl 50A-600V PowerMESH RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGE50NC60WD 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600volt 50 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGF10H60DF 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT 600V 20A 30W TO220FP 制造商:STMicroelectronics 功能描述:SADA_600 V, 10 A high speed trench gate field-stop IGBT
STGF10NB60SD 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 10 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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