參數(shù)資料
型號(hào)： STGD5NB120SZ-1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 40 Characters x 1 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
中文描述： 40 個(gè)字符 x 1 線、 5 x 7 點(diǎn)陣字符和光標(biāo)
文件頁(yè)數(shù)： 3/13頁(yè)
文件大?。?/td> 350K
代理商： STGD5NB120SZ-1
3/13
STGD5NB120SZ-1 - STGD5NB120SZ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
Table 6: Dynamic
Symbol
Parameter
g
fs
Forward Transconductance
C
ies
(*)
Input Capacitance
C
oes
(*)
Output Capacitance
C
res
(*)
Reverse Transfer
Capacitance
R
g
Gate Resistance
(1) Pulsed: Pulse duration= 300 μs, duty cycle 1.5%
Table 7: Switching On
Symbol
t
d(on)
t
r
(di/dt)
on
t
d(on)
t
r
(di/dt)
on
Table 8: Switching Off
Symbol
t
c
t
r
(V
off
)
t
d
(
off
)
t
f
Table 9: Switching Energy
(2) Eon is the turn-on losses when a typical diode is used in the test circuit in figure 2.
(3) Turn-off losses include also the tail of the collector current.
Test Conditions
V
CE
= 25 V
,
I
C
= 5 A
V
CE
= 25V, f = 1 MHz, V
GE
= 0V
Min.
Typ.
Max.
Unit
5
S
430
pF
40
pF
7
pF
4
K
Parameter
Test Conditions
I
C
= 5 A , V
CC
= 960 V
V
GE
= 15 V , R
drive
= 1K
Tj = 25
°
C
Min.
Typ.
690
170
39.6
Max.
Unit
ns
ns
A/μs
Delay Time
Current Rise Time
Turn-on Current Slope
Dealy Time
Current Rise Time
Turn-on Current Slope
I
CC
= 5 A , V
CC
= 960 V
V
GE
= 15 V , R
drive
= 1K
Tj = 125
°
C
600
185
39
ns
ns
A/μs
Parameter
Test Conditions
I
C
= 5 A , V
CC
= 960 V
V
GE
= 15 V , R
drive
= 1K
Tj = 25
°
C
Min.
Typ.
4
2.2
12.1
1.13
Max.
Unit
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
Cross-over Time
Off Voltage Rise Time
Delay Time
Current Fall Time
t
c
t
r
(V
off
)
t
d
(
off
)
t
f
Cross-over Time
Off Voltage Rise Time
Delay Time
Current Fall Time
I
C
= 5 A , V
CC
= 960 V
V
GE
= 15 V , R
drive
= 1K
Tj = 125
°
C
5
2.2
12.1
2
Symbol
Parameter
r
Test Conditions
Min.
Typ.
Max
Unit
Eon
(2)
E
off
(3)
E
ts
Turn-on Switching Losses
Turn-off Switching Loss
Total Switching Loss
V
CC
= 800 V, I
C
= 3 A
R
G
= 10
, V
GE
= 15V, Tj= 25
°
C
(see Figure 18)
2.59
9
11.59
mJ
mJ
mJ
Eon
(2)
E
off
(3)
E
ts
Turn-on Switching Losses
Turn-off Switching Loss
Total Switching Loss
V
CC
= 800 V, I
C
= 3 A
R
G
= 10
, V
GE
= 15V, Tj= 125
°
C
(see Figure 18)
2.64
10.2
12.68
mJ
mJ
mJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGD5NB120SZ N-CHANNEL 5A - 1200V DPAK/IPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH? IGBT
STGD5NB120SZT4 N-CHANNEL 5A - 1200V DPAK/IPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH? IGBT
STGD7NB60FT4 Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Package/Case:MS-013; Reel Quantity:1500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:58V; Capacitance:70pF; Forward Voltage:5V; Holding Current:120mA; Leakage Current:5uA RoHS Compliant: NA
STGD7NB60F N-CHANNEL 7A - 600V - T0-220 / DPAK PowerMESH IGBT
STGP7NB60F N-CHANNEL 7A - 600V - T0-220 / DPAK PowerMESH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STGD6NC60H 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 7A - DPAK Very fast PowerMESH TM IGBT
STGD6NC60H_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 7A - DPAK Very fast PowerMESH TM IGBT
STGD6NC60H-1 功能描述:IGBT N-CH 600V 7A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):21A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，3A 功率 - 最大值:62.5W 開(kāi)關(guān)能量:20μJ（開(kāi)），68μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:13.6nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:12ns/76ns 測(cè)試條件:390V，3A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:IPAK（TO-251） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75
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