參數(shù)資料
型號(hào)： STGD5NB120SZ-1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 40 Characters x 1 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
中文描述： 40 個(gè)字符 x 1 線、 5 x 7 點(diǎn)陣字符和光標(biāo)
文件頁(yè)數(shù)： 2/13頁(yè)
文件大?。?/td> 350K
代理商： STGD5NB120SZ-1
STGD5NB120SZ-1 - STGD5NB120SZ
2/13
Table 3: Absolute Maximum ratings
Symbol
V
CES
Collector-Emitter Voltage (V
GS
= 0)
V
ECR
Emitter-Collector Voltage
V
GE
Gate-Emitter Voltage
I
C
Collector Current (continuous) at T
C
= 25
°
C
I
C
Collector Current (continuous) at T
C
= 100
°
C
I
CM
( )
Collector Current (pulsed)
P
TOT
Total Dissipation at T
C
= 25
°
C
Derating Factor
Single Pulse Avalanche Energy at T
j
= 25
°
C
Single Pulse Avalanche Energy at T
j
= 100
°
C
T
stg
Storage Temperature
T
j
Operating Junction Temperature range
(
)
Pulse width limited by safe operating area
(1) V
CE
= 50 V , I
AV
= 3.3 A
Table 4: Thermal Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
=25
°
C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
Table 5: On/Off
Symbol
Parameter
V
BR(CES)
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
I
CES
Collector cut-off Current
(V
GE
= 0)
V
CE
= 900 V, T
j
= 125
°
C
I
GES
Gate-Emitter Leakage
Current (V
CE
= 0)
V
GE(th)
Gate Threshold Voltage
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 μA
V
GE
Gate Emitter Voltage
V
CE
=2.5 V, I
C
= 2 A,
Tj = 25
÷
125
°
C
V
CE(sat)
Collector-Emitter Saturation
Voltage
V
GE
= 15V, I
C
= 5 A, Tj =125
°
C
Parameter
Value
Unit
1200
V
20
V
±20
V
10
A
5
A
20
A
55
W
0.44
W/
°
C
Eas (1)
10
7
mJ
mJ
–
55 to 150
°
C
150
°
C
Min.
Typ.
Max.
2.27
100
Rthj-case
Rthj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
°
C/W
°
C/W
Test Conditions
I
C
= 10 mA, V
GE
= 0 V
Min.
1200
Typ.
Max.
Unit
V
V
CE
= 900 V
50
250
μA
μA
V
GE
= ±20V , V
CE
= 0 V
±100
nA
2
5
V
6.5
V
V
GE
= 15V, I
C
= 5 A
1.3
1.2
2.0
V
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGD5NB120SZ N-CHANNEL 5A - 1200V DPAK/IPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH? IGBT
STGD5NB120SZT4 N-CHANNEL 5A - 1200V DPAK/IPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH? IGBT
STGD7NB60FT4 Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Package/Case:MS-013; Reel Quantity:1500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:58V; Capacitance:70pF; Forward Voltage:5V; Holding Current:120mA; Leakage Current:5uA RoHS Compliant: NA
STGD7NB60F N-CHANNEL 7A - 600V - T0-220 / DPAK PowerMESH IGBT
STGP7NB60F N-CHANNEL 7A - 600V - T0-220 / DPAK PowerMESH IGBT
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參數(shù)描述
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