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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STGD3NB60St4 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 24 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
| 中文描述： | 24字符X2行，5X7點(diǎn)矩陣字符和光標(biāo) |
| 文件頁數(shù)： | 8/8頁 |
| 文件大小： | 83K |
| 代理商： | STGD3NB60ST4 |
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STGD3NB60S
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STGD3NB60S | N-CHANNEL 3A - 600V DPAK Power MESH IGBT |
| STGD5NB120SZ-1 | 40 Characters x 1 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
| STGD5NB120SZ | N-CHANNEL 5A - 1200V DPAK/IPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH? IGBT |
| STGD5NB120SZT4 | N-CHANNEL 5A - 1200V DPAK/IPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH? IGBT |
| STGD7NB60FT4 | Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Package/Case:MS-013; Reel Quantity:1500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:58V; Capacitance:70pF; Forward Voltage:5V; Holding Current:120mA; Leakage Current:5uA RoHS Compliant: NA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STGD4M65DF2 | 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Surface Mount DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:M 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):16A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，4A 功率 - 最大值:68W 開關(guān)能量:40μJ（開），136μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:15.2nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:12ns/86ns 測試條件:400V，4A，47 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:133ns 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| STGD5H60DF | 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.95V @ 15V，5A 功率 - 最大值:83W 開關(guān)能量:56μJ（開），78.5μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:43nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:30ns/140ns 測試條件:400V，5A，47 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:134.5ns 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| STGD5NB120SZ | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 5A - 1200V DPAK/IPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH? IGBT |
| STGD5NB120SZ-1 | 功能描述:IGBT 晶體管 5 A 1200V LOW DROP INTERN CLAMPED IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGD5NB120SZT4 | 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 1200 Volt 5 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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