參數(shù)資料
型號(hào): STGD3NB60St4
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: 24 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
中文描述: 24字符X2行,5X7點(diǎn)矩陣字符和光標(biāo)
文件頁(yè)數(shù): 7/8頁(yè)
文件大小: 83K
代理商: STGD3NB60ST4
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
2.2
2.4
0.086
0.094
A1
0.9
1.1
0.035
0.043
A2
0.03
0.23
0.001
0.009
B
0.64
0.9
0.025
0.035
B2
5.2
5.4
0.204
0.212
C
0.45
0.6
0.017
0.023
C2
0.48
0.6
0.019
0.023
D
6
6.2
0.236
0.244
E
6.4
6.6
0.252
0.260
G
4.4
4.6
0.173
0.181
H
9.35
10.1
0.368
0.397
L2
0.8
0.031
L4
0.6
1
0.023
0.039
=
=
D
L2
L4
1
3
=
=
B
E
=
=
B
G
2
A
C
C
H
A
DETAIL”A”
A
DETAIL”A”
TO-252 (DPAK) MECHANICAL DATA
0068772-B
STGD3NB60S
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGD3NB60S N-CHANNEL 3A - 600V DPAK Power MESH IGBT
STGD5NB120SZ-1 40 Characters x 1 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
STGD5NB120SZ N-CHANNEL 5A - 1200V DPAK/IPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH? IGBT
STGD5NB120SZT4 N-CHANNEL 5A - 1200V DPAK/IPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH? IGBT
STGD7NB60FT4 Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Package/Case:MS-013; Reel Quantity:1500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:58V; Capacitance:70pF; Forward Voltage:5V; Holding Current:120mA; Leakage Current:5uA RoHS Compliant: NA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGD4M65DF2 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Surface Mount DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:M 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):8A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):16A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.1V @ 15V,4A 功率 - 最大值:68W 開關(guān)能量:40μJ(開),136μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:15.2nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:12ns/86ns 測(cè)試條件:400V,4A,47 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):133ns 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STGD5H60DF 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):20A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):1.95V @ 15V,5A 功率 - 最大值:83W 開關(guān)能量:56μJ(開),78.5μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:43nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:30ns/140ns 測(cè)試條件:400V,5A,47 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):134.5ns 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STGD5NB120SZ 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 5A - 1200V DPAK/IPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH? IGBT
STGD5NB120SZ-1 功能描述:IGBT 晶體管 5 A 1200V LOW DROP INTERN CLAMPED IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGD5NB120SZT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 1200 Volt 5 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube