參數(shù)資料
型號(hào)： STD3N30L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
中文描述： ? -通道增強(qiáng)型功率MOS器件
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 170K
代理商： STD3N30L
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuits
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveforms
Switching Safe Operating Area
Accidental Overload Area
Source-drain Diode Forward Characteristics
STD3N30L
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD3N30 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STD3NB50-1 ***** BITTE 4969170 VERWENDEN*****
STD3NB50 N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 3A - IPAK/DPAK PowerMESH MOSFET
STD3NC50 N - CHANNEL 500V - 2.4ohm - 3A TO-251/TO-252 PowerMESHII MOSFET
STD3NK80ZT4 N-CHANNEL 800V - 3.8 OHM - 2.5A TO-220/FP/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD3N30L-1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN
STD3N30LT4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252
STD3N30T4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252
STD3N40K3 功能描述:MOSFET N-Ch 400V 2.7 Ohm 2A SuperMESH3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD3N62K3 功能描述:MOSFET N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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