參數(shù)資料
型號(hào)： STD3N30L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
中文描述： ? -通道增強(qiáng)型功率MOS器件
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
文件大?。?/td> 170K
代理商： STD3N30L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 150 V
R
G
= 50
(see test circuit, figure 3)
V
DD
= 240 V
R
G
= 50
(see test circuit, figure 5)
V
DD
= 240 V
I
D
= 1.5 A
V
GS
= 5 V
70
150
100
210
ns
ns
(di/dt)
on
Turn-on Current Slope
I
D
= 3 A
V
GS
= 5 V
115
A/
μ
s
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
I
D
= 3 A
V
GS
= 5 V
16
5
7
22
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 240 V
R
G
= 50
(see test circuit, figure 5)
I
D
= 3 A
V
GS
= 5 V
50
40
100
70
60
140
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
3
12
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 3 A
V
GS
= 0
1.5
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 3 A
V
DD
= 200 V
(see test circuit, figure 5)
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
C
300
1.5
10
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5%
(
) Pulse width limited by safe operating area
Safe Operating Area
Thermal Impedance
STD3N30L
3/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD3N30 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STD3NB50-1 ***** BITTE 4969170 VERWENDEN*****
STD3NB50 N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 3A - IPAK/DPAK PowerMESH MOSFET
STD3NC50 N - CHANNEL 500V - 2.4ohm - 3A TO-251/TO-252 PowerMESHII MOSFET
STD3NK80ZT4 N-CHANNEL 800V - 3.8 OHM - 2.5A TO-220/FP/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD3N30L-1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN
STD3N30LT4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252
STD3N30T4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252
STD3N40K3 功能描述:MOSFET N-Ch 400V 2.7 Ohm 2A SuperMESH3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD3N62K3 功能描述:MOSFET N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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