參數(shù)資料
型號： STD2NC70Z
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 700V - 4.1ohm - 2.3A DPAK/IPAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
中文描述： N溝道高達700V - 4.1ohm - 2.3a作出的DPAK /像是iPak齊保護的PowerMESH⑩三MOSFET的
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大小： 447K
代理商： STD2NC70Z
STD2NC70Z/STD2NC70Z-1
6/10
Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 3:
Switching Times Test Circuits For
Resistive Load
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD2NC70Z-1 N-CHANNEL 700V - 4.1ohm - 2.3A DPAK/IPAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STD2NK60Z Zener-Protected SuperMESH MOSFET
STD2NK60Z-1 Zener-Protected SuperMESH MOSFET
STF2NK60Z Zener-Protected SuperMESH MOSFET
STP2NK60Z Zener-Protected SuperMESH MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD2NC70Z-1 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
STD2NC70ZT4 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
STD2NK100Z 功能描述:MOSFET N-Channel 1000V Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD2NK60Z 功能描述:MOSFET N Ch 600V 7.2Ohm 1.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD2NK60Z-1 功能描述:MOSFET N-Ch, 600V-7.2ohms 1.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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