參數(shù)資料
型號： STD1NB50
廠商： 意法半導體
英文描述： N-Channel 500V-7.5Ω-1.4A- IPAK PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET)
中文描述： N溝道500V -7.5Ω- 1.4A的，像是iPak PowerMESHTM MOSFET的（不適用溝道MOSFET的）
文件頁數(shù)： 5/8頁
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代理商： STD1NB50
Normalized Gate Threshold Voltage vs
Temperature
Source-drainDiode Forward Characteristics
Normalized On Resistance vs Temperature
STD1NB50
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD1NB60 N - CHANNEL 600V - 7.4ohm - 1A - IPAK/DPAK PowerMESH MOSFET
STD1NB80-1 N-Channel 800V-16Ω-1A- IPAK PowerMESH MOSFET(N溝道MOSFET)
STD1NC40-1 N - CHANNEL 400V- 8ohm - 1A - IPAK PowerMESH II MOSFET
STD1NC60 N-CHANNEL 600V - 7ohm - 1.4A - DPAK/IPAK PowerMesh⑩II MOSFET
STD1NC70Z N-CHANNEL 700V - 7.3ohm - 1.4A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD1NB50-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR MOSFET D-PAK
STD1NB60 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 600V - 7.4ohm - 1A - IPAK/DPAK PowerMESH MOSFET
STD1NB60-1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD1NB60T4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD1NB80 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 800V - 16ohm - 1A - DPAK/IPAK PowerMESH MOSFET
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