參數(shù)資料
型號： STD1NB50
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel 500V-7.5Ω-1.4A- IPAK PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET)
中文描述： N溝道500V -7.5Ω- 1.4A的，像是iPak PowerMESHTM MOSFET的（不適用溝道MOSFET的）
文件頁數(shù)： 3/8頁
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代理商： STD1NB50
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 250 V
R
G
= 4.7
(see test circuit, figure 3)
V
DD
= 400 V
I
D
= 0.7 A
V
GS
= 10 V
8
8
12
12
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
I
D
=1.4 A V
GS
= 10 V
9
5.5
2.4
13
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 400 V
R
G
= 4.7
(see test circuit, figure 5)
I
D
= 1.4 A
V
GS
= 10 V
20
22
30
28
31
42
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
1.4
5.6
A
A
V
SD
(
)
I
SD
= 1.4 A
V
GS
= 0
1.6
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 1.4 A
V
DD
= 100 V
(see test circuit, figure 5)
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
C
330
780
4.7
ns
nC
A
(
) Pulsed: Pulse duration =300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse widthlimited by safe operating area
Safe OperatingArea
Thermal Impedance
STD1NB50
3/8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD1NB60 N - CHANNEL 600V - 7.4ohm - 1A - IPAK/DPAK PowerMESH MOSFET
STD1NB80-1 N-Channel 800V-16Ω-1A- IPAK PowerMESH MOSFET(N溝道MOSFET)
STD1NC40-1 N - CHANNEL 400V- 8ohm - 1A - IPAK PowerMESH II MOSFET
STD1NC60 N-CHANNEL 600V - 7ohm - 1.4A - DPAK/IPAK PowerMesh⑩II MOSFET
STD1NC70Z N-CHANNEL 700V - 7.3ohm - 1.4A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD1NB50-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR MOSFET D-PAK
STD1NB60 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 600V - 7.4ohm - 1A - IPAK/DPAK PowerMESH MOSFET
STD1NB60-1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD1NB60T4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD1NB80 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 800V - 16ohm - 1A - DPAK/IPAK PowerMESH MOSFET
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