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參數(shù)資料
| 型號： | ST90158P9C6 |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | 16-BIT, MROM, 16 MHz, MICROCONTROLLER, PQCC84 |
| 封裝： | PLASTIC, LCC-84 |
| 文件頁數(shù)： | 121/189頁 |
| 文件大小： | 3326K |
| 代理商： | ST90158P9C6 |
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37/189
ST90158 - REGISTER AND MEMORY MAP
3 REGISTER AND MEMORY MAP
3.1 MEMORY CONFIGURATION
The Program memory space of the ST90135/158,
0/16/24/32/48/64/K bytes of directly addressable
on-chip memory, is fully available to the user.
The first 256 memory locations from address 0 to
FFh hold the Reset Vector, the Top-Level (Pseudo
Non-Maskable) interrupt, the Divide by Zero Trap
Routine vector and, optionally, the interrupt vector
table for use with the on-chip peripherals and the
external interrupt sources. Apart from this case no
other part of the Program memory has a predeter-
mined function except segment 21h which is re-
served for use by STMicroelectronics.
3.2 EPROM PROGRAMMING
The 65536 bytes of EPROM memory of the
ST90E158 may be programmed by using the
EPROM Programming Boards (EPB) or gang pro-
grammers available from STMicroelectronics.
EPROM Erasing
The EPROM of the windowed package of the
ST90E158 may be erased by exposure to Ultra-Vi-
olet light.
The erasure characteristic of the ST90E158 is
such that erasure begins when the memory is ex-
posed to light with a wave lengths shorter than ap-
proximately 4000. It should be noted that sunlight
and some types of fluorescent lamps have wave-
lengths in the range 3000-4000. It is thus recom-
mended that the window of the ST90E158 packag-
es be covered by an opaque label to prevent unin-
tentional erasure problems when testing the appli-
cation in such an environment.
The recommended erasure procedure of the
EPROM is the exposure to short wave ultraviolet
light which have a wave-length 2537. The inte-
grated dose (i.e. U.V. intensity x exposure time) for
erasure should be a minimum of 15W-sec/cm2.
The erasure time with this dosage is approximate-
ly 30 minutes using an ultraviolet lamp with
12000mW/cm2 power rating. The ST90E158
should be placed within 2.5cm (1 inch) of the lamp
tubes during erasure.
Table 6. First 6 Bytes of Program Space
0
Address high of Power on Reset routine
1
Address low of Power on Reset routine
2
Address high of Divide by zero trap Subroutine
3
Address low of Divide by zero trap Subroutine
4
Address high of Top Level Interrupt routine
5
Address low of Top Level Interrupt routine
9
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ST90E28L1/ES | 16-BIT, UVPROM, 24 MHz, MICROCONTROLLER, CQCC44 |
| ST90E30D1/ES | 16-BIT, UVPROM, 24 MHz, MICROCONTROLLER, CDIP56 |
| ST90E30L1/ES | 16-BIT, UVPROM, 24 MHz, MICROCONTROLLER, CQCC68 |
| ST90T30B6 | 16-BIT, OTPROM, 24 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP56 |
| ST90R40C1 | 16-BIT, 24 MHz, MICROCONTROLLER, PQCC68 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ST90158-ST90135 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8/16-BIT MCU FAMILY WITH UP TO 64K ROM/OTP/EPROM AND UP TO 2K RAM |
| ST9016 | 制造商:SEMTECH_ELEC 制造商全稱:SEMTECH ELECTRONICS LTD. 功能描述:NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor |
| ST9018 | 制造商:SEMTECH_ELEC 制造商全稱:SEMTECH ELECTRONICS LTD. 功能描述:NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor |
| ST901T | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Power Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| ST901T_05 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE IGNITION COIL DRIVER NPN POWER TRANSISTOR |
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