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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SSN1N45B |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 450V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 500 mA, 450 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 667K |
| 代理商： | SSN1N45B |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, November 2002
S
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10 ms
100 ms
1 s
100
μ
s
1 ms
DC
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
※
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
10
-5
10
-4
10
t
1
, S quare W ave P ulse D uration [sec]
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-1
10
0
10
1
10
2
※
(t) = 50
℃
/W /t
1
2
Notes :
JM
- T
L
= P
DM
* Z
θ
JL
(t)
single p ulse
D = 0.5
0.02
0.2
0.05
0.1
0.01
Z
θ
J
(
25
50
75
100
125
150
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
I
D
,
T
C
, Case Temperature [
℃
]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
※
Notes :
1. V
= 10 V
2. I
D
= 0.25 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
※
Notes :
1. V
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
t
1
P
DM
t
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SSP3N80A | ACB 2C 2#16S SKT PLUG |
| SSP5N90 | Advanced Power MOSFET |
| SSP5N90A | Advanced Power MOSFET |
| SSP6N70A | Advanced Power MOSFET |
| SSP6N80A | Advanced Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SSN1N45BBU | 功能描述:MOSFET N-CH/450V/0.5A/BFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SSN1N45BTA | 功能描述:MOSFET N-CH/450V/0.5A/BFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SSN-2025A | 制造商:MINI 制造商全稱:Mini-Circuits 功能描述:Frequency Synthesizer |
| SSN-2025A+ | 制造商:MINI 制造商全稱:Mini-Circuits 功能描述:Frequency Synthesizer |
| SSN-2222A-119 | 制造商:MINI 制造商全稱:Mini-Circuits 功能描述:Frequency Synthesizer |
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