- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄382548 > SSN1N45B (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 450V N-Channel MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | SSN1N45B |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 450V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 500 mA, 450 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 667K |
| 代理商： | SSN1N45B |
Rev. A, November 2002
S
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
10
-1
10
0
10
1
0
100
200
300
400
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Note ;
1. V
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
1
2
3
4
5
6
7
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 225V
V
DS
= 90V
V
DS
= 360V
※
Note : I
D
= 0.5 A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
-1
10
0
150
℃
※
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
℃
I
D
,
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
12
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
※
Note : T
J
= 25
℃
R
D
Ω
D
I
D
, Drain Current [A]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
※
Notes :
1. V
DS
= 50V
2. 250
μ
s Pulse Test
-55
℃
150
℃
25
℃
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
GS
V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
※
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SSP3N80A | ACB 2C 2#16S SKT PLUG |
| SSP5N90 | Advanced Power MOSFET |
| SSP5N90A | Advanced Power MOSFET |
| SSP6N70A | Advanced Power MOSFET |
| SSP6N80A | Advanced Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SSN1N45BBU | 功能描述:MOSFET N-CH/450V/0.5A/BFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SSN1N45BTA | 功能描述:MOSFET N-CH/450V/0.5A/BFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SSN-2025A | 制造商:MINI 制造商全稱:Mini-Circuits 功能描述:Frequency Synthesizer |
| SSN-2025A+ | 制造商:MINI 制造商全稱:Mini-Circuits 功能描述:Frequency Synthesizer |
| SSN-2222A-119 | 制造商:MINI 制造商全稱:Mini-Circuits 功能描述:Frequency Synthesizer |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。